不需EUV光刻機 國內首條光子芯片產線2023年建成

如今，光刻機一直限制著國產芯片的發展，為了突破限制，國家正在大力推進光子芯片，其原理跟硅芯片不同，運算速度可提升1000倍以上，而且不依賴先進的光刻機，比如EUV光刻機，因此是各國爭相發展的新一代信息科技。

近日，有消息稱，國內首條 " 多材料、跨尺寸 " 的光子芯片生產線已在籌備，預計將于2023年在北京建成，可滿足通信、數據中心、激光雷達、微波光子、醫療檢測等領域需求，有望填補我國在光子芯片晶圓代工領域的空白。

據悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計算速度較電子芯片快約1000 倍，且功耗更低。

從材料而言，InP、GaAS 等二代化合物半導體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。

從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側重點在于外延設計與制備環節，而非光刻環節。

關于EUV光刻機：

極紫外線光刻機是芯片生產工具，是生產大規模集成電路的核心設備，對芯片工藝有著決定性的影響。制造和維護需要高度的光學和電子工業基礎，世界上只有少數廠家掌握。光刻機的作用是掃描曝光芯片晶圓，刻蝕集成電路。精度越高的光刻機，能生產出納米尺寸更小，功能更強大的芯片。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機生產。

關于光子芯片：

光子芯片采用光波（電磁波）來作為信息傳輸或數據運算的載體，一般依托于集成光學或硅基光電子學中介質光波導來傳輸導模光信號，將光信號和電信號的調制、傳輸、解調等集成在同一塊襯底或芯片上。

源自于：光行天下